DCM™1000 功率模块技术平台

首先，DCM™1000 指的是一个封装大小，其体积能够组装的半导体面积达 1000mm²。

其次，额定电流很大程度上取决于应用的边界条件，如冷却参数和直流链路电压。DCM™1000 的额定电流是根据客户端的额定操作点确定的。

通过调整芯片容量和 DBC 基板材料，我们可以在 DCM™1000 封装中提供多个功率等级。这让客户无需重新设计，即可将外形尺寸相同的电源模块用于输出功率不同的牵引逆变器。DCM™1000 (750V) 和 DCM™1000X (1200V) 都适用。后缀“X”表示扩展的电气间隙距离和爬电距离，适用于直流链路电压高达 1000V 的应用。DCM™1000 和 DCM™1000X 都可以使用碳化硅 MOSFET。

DCM™ 是一个技术平台，也就是说，可以封装合格的所有类型汽车半导体。对于 400V 和 800V 的传动系统逆变器，通常可以组装 Si IGBT 和 SiC MOSFETt。可使用先进的焊接与连接技术，如 DBB^®，使用铜线键合或铜带键合。

丹佛斯采用了独特的商业模式，芯片独立性是其主要支柱之一。这意味着我们可以自由选择功率半导体。当然，即使设计为相同的功率等级，不同制造商的半导体在诸如内部栅极电阻、栅极电荷甚至击穿电压方面也有所不同。对于许多供应商的逆变器设计而言，这会是一个挑战。

但对我们来说，我们已对差异进行了彻底的评估，可以在更改首选半导体制造商方面或在需要第二种采购方法时，为客户的逆变器和驱动板设计过程提供充分的支持。此外，低于 7nH 的低模块杂散电感可允许使用击穿电压不同的多种半导体。

通过夹紧支架将模块安装到冷却器，直接固定在冷却器上即可。支架与底板顶部的可用区域直接接触，如图 2 所示。提供了不同的概念，可对邻近每个半桥的位置顺序对密封垫片施加足够的压力。

丹佛斯提出的概念中，在功率模块的每边固定两个 M4 螺钉或只有一个 M5 螺钉。在使用铝冷却器的高级设计中，对于典型的六合一模块设计，螺钉总数可减少到 4 个，而不是 8 个。

DCM™ 平台的冷却概念采用荣获专利的 ShowerPower®3D 冷却技术。功率模块的基板设计了迂曲通道以引导冷却剂，并产生强有力的涡流效应，冲刷边界层，从而最大限度地提高冷却效率。尽管存在涡流效应，但由于流体是层流，因此压降很低，主要受进出口冷却器和结构化基板旁通设计的影响。最终的热阻与所选功率等级有关，即硅面积和基底材料。客户根据 DCM™1000 功率模块所需的接口设计其冷却器的水冷板。

丹佛斯的应用测试套件中提供了全部所需图纸和参考设计。

在牵引逆变器的早期开发阶段，客户会需要完整的材料包以用于设计和评估功率模块运行性能。因此，丹佛斯提供了数据表、该模块的 CAD 文件以及包括冷却器接口在内的图纸和详细的应用说明。为加快测试并缩短流程，我们提供了一个应用测试套件，内有直流链电容、驱动板和冷却剂，以便可在实验室直接测试 DCM™1000 模块。